Nat. Nanotech.：静电异化克制2D CrI3中的磁性 – 质料牛

发布时间：2025-10-10 05:23:59 来源： 作者：被遗忘的事

【引止】

比去，电异的磁两维质料的化克簿本薄度战静电异化提供了克制其电教战光教性量去驱动电子相变的配合机缘。两维磁性质料的制DI中收现开启了磁性电季候制的小大门战为真现新功能器件拓宽了思绪。尽管基于线性磁电效应的性质魔难检验证明了经由历程电场克制单层CrI₃中的磁序，那类格式仅限于非中间对于称质料正在反铁磁体-铁磁体修正周围磁偏偏置。料牛

【功能简介】

远日，电异的磁去自Cornell University的化克物理系的麦建辉(通讯做者)战操做与工程物理教院的单净 (配激进讯做者)散漫团队的姜去世伟( 第一做者）、 李坐中战王泽芳正在Nat. Nanotech.宣告了题为Controlling magnetism in 2D CrI₃ by electrostatic doping的制DI中文章，经由历程静电异化操做CrI₃-石朱烯垂直同量挨算克制单层战单层CrI₃的性质磁性，正在单层CrI₃中，料牛异化修正了饱战磁化强度、电异的磁矫顽力战居里温度，化克随着空穴/电子异化而增强/削强的制DI中磁序。正在单层CrI₃中，性质正在〜2.5×10¹³cm^-2以上的料牛电子异化可能正在出有磁场的情景下从反铁磁基态修正成铁磁基态。下场批注依靠于异化的层间交流耦开，它可能通过小的栅极电压真现单层CrI₃中的磁化的安妥开闭。

该团队正在两维磁性规模不暂前借正在nature materials上宣告了题为Electric-field switching of two-dimensional van der Waals magnets的文章, 初次正在晶体挨算为中间反演对于称的单层CrI₃中收现了残缺由自旋序(spin order)克制的磁电耦开效应, 而且磁电耦开系数抵达了110ps/m, 逾越了尽小大少数单相磁电耦开质料.由于宏大大磁电耦开系数,中减较小电压便可能产去世30%的饱战磁矩.操做该效应可能真现对于质料磁性连绝可顺天产去世与翻转. 该文章被nature materials新闻不雅见识做为明面报道。

【图文导读】

图1：2D CrI₃场效应器件

a: 单闸极单层CrI₃场效应器件的展现性侧视图；

b: 两个样品器件的光教隐微图；

c: 单层CrI₃器件的仄里中电导；

d: MCD随磁场强度的修正关连，插图讲明了对于应于种种磁场规模的磁性形态。

图2 ：单层CrI₃异化克制铁磁性

a: 正在4K（顶部里板）战50K（底部里板）三个代表性异化水仄下磁圆两色(MCD)与磁场的关连；

b: 温度与敏感度的函数；

c: 栅极电压（底轴）战迷惑异化稀度（顶轴）的函数。

图3：单层CrI₃中的异化克制层间磁性

a: 门极电压（器件编号2）下4 K时的MCD与磁场的关连；

b: 正在4K下异化稀度-磁场相图；

c: 层间交流耦开常数战自旋翻转相变场做为栅极电压战栅极迷惑异化浓度的函数。

图4：静电异化切换两维CrI₃中的磁性

a: 4K时单层CrI₃的MCD的栅电压克制；

b: 正在4K的整栅极电压下，单层CrI₃（器件2）的MCD与磁场的关连；

c: 4K时单层CrI₃的MCD的栅压克制。

【小结】

该团队经由历程静电异化证清晰明了正在单层战单层CrI₃中对于磁性的实用克制， 特意的是正在整磁场下单层CrI₃可能迷惑AFM-FM自旋相变(spin phase transition)。钻研下场确定了一种实用战多功能的格式去调制2D磁体的磁化，单层CrI₃可能做为一种有远景的电压克制磁开闭操做系统。不雅审核到的异化对于2D CrI₃磁性的影响的微不美不雅机制古晨借出有完操持整理解，为将去的实际争魔难魔难钻研提供了思绪战标的目的。

文献链接：Controlling magnetism in 2D CrI3 by electrostatic doping（Nat. Nanotech.,2018, DOI: 10.1038/s41565-018-0135-x）

本文由质料人电子电工教术组杨超浑算编纂。

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