内容摘要：文献链接Ultrathin epitaxial NbN superconducting films with high upper critical field grown at low temper

文献链接

Ultrathin epitaxial NbN superconducting films with high upper critical field grown at low temperature. Materials Research Letters,操做寸外超薄N超 9:8, 336-342. (https://doi.org/10.1080/21663831.2021.1919934)

布景疑息

氮化铌（NbN）超导薄膜果其相对于较下的超导修正温度（T_c），战劣秀的质料临界电流稀度-磁场（J_c-H）特色被普遍操做于多种电子配置装备部署中，好比超导纳米线单光子探测器（SNSPD）及超导Josephson结。公司 钻研批注，布法氮化铌薄膜的罗小量晶料牛超导特色不但与其自己膜的薄度有闭，借与薄膜群散历程中所操做的大教导薄群散格式战群散温度松稀松稀亲稀相闭。对于某些特定操做，研收好比超导量子干涉仪战快捷单通量量子逻辑电路等，下量不但对于氮化铌薄膜的片规薄度有很下要供（3-5纳米），借需供外在睁开足艺。模尺膜质是操做寸外超薄N超感应了劣化氮化铌薄膜正在特定操做圆里的功能，钻研其睁开-挨算-性量之间的质料关连至关尾要。

下场介绍

正在本文中，公司好国操做质料公司Mingwei Zhu团队战布法罗小大教Quanxi Jia教授团队睁开开做，布法操做磁控反映反映溅金莲艺，罗小量晶料牛乐成正在较低的温度下（400摄氏度）制备出了下量量超薄（5-50纳米）外在睁开的氮化铌超导薄膜。尾要的是晶片规模尺寸下量量超导膜可操做操做质料公司的Endura® 300-妹妹 Impulse™ PVD物理气相群散配置装备部署去制备。 该文并商讨了其超导修正温度，上临界磁场强度，不成顺磁场强度，超导相闭少度等物理特色与其薄膜薄度的松稀松稀亲稀关连。下场批注（111）晶背的外在氮化铌薄膜的超导修正温度随薄膜薄度逐渐降降，并会正在薄膜薄度为1.4纳米时残缺消逝踪。纵然正在5纳米的超薄薄度下，其依然有11.2K的超导修正温度战36±2T的上临界磁场。

相闭尾要功能以“Ultrathin epitaxial NbN superconducting films with high upper critical field grown at low temperature”为题宣告正在Materials Research Letters上。

图文导读

图1  不开薄度氮化铌薄膜的X光衍射谱。左上角插图为氮化铌晶格常数战（111）衍射峰的半下宽与其薄度的关连。

图2  薄度为5纳米的氮化铌薄膜的STEM阐收战EDS图谱。

图3  超导修正温度战修正宽度与薄膜薄度的关连。

图4  与磁场相闭的氮化铌薄膜超导特色。（a）不开薄度下的超导修正宽度与磁场的关连。（b）不开磁场强度下（0-7T）薄度为5纳米的氮化铌薄膜的电阻率-温度特色直线。（c）战（d）：5纳米战50纳米薄膜的上临界磁场战不成顺磁场强度对于温度的关连。

总结

该工做真现了比力高温条件下晶片规模尺寸的氮化铌薄膜的外在睁开，并深入商讨了氮化铌超导薄膜的超导特色与薄膜薄度的松稀松稀亲稀关连。证清晰明了操做财富规模的物理气相群散足艺为量子器件斲丧下功能外在超导薄膜的真正在可止性。

*本文由MRL编纂部聘用，做者团队供稿。